JEDEC規格 JESD 238, Revision A, 2023: High Bandwidth Memory DRAM (HBM3)

JEDEC規格 JESD 238, Revision A, 2023

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JEDEC規格 JESD 238, Revision A, 2023

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書名

JEDEC JESD 238, Revision A, 2023: High Bandwidth Memory DRAM (HBM3)
JEDEC規格 JESD 238, Revision A, 2023: 高帯域幅メモリDRAM (HBM3)
発行元 JEDEC
発行年/月 2023年1月   
装丁 ペーパー
ページ数 270 ページ
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Description

The HBM3 DRAM is tightly coupled to the host compute die with a distributed interface. The interface is divided into independent channels. Each channel is completely independent of one another. Channels are not necessarily synchronous to each other. The HBM3 DRAM uses a wide-interface architecture to achieve high-speed, low power operation. Each channel interface maintains a 64 bit data bus operating at double data rate (DDR).